Предельная растворимость примесей в кремнии

Мы профессиональная команда, которая на рынке работает уже более 2 лет и специализируемся исключительно на лучших продуктах.

У нас лучший товар, который вы когда-либо пробовали!

Наши контакты:

Telegram:

https://t.me/happystuff

Внимание! Роскомнадзор заблокировал Telegram ! Как обойти блокировку:

http://telegra.ph/Kak-obojti-blokirovku-Telegram-04-03-2

ВНИМАНИЕ!!! В Телеграмм переходить только по ссылке, в поиске много фейков!

Целью второго этапа диффузии является получение заданного распределения примеси. Высоколегированный поверхностный слой полупроводника, образованный на первом этапе диффузии, служит источником примеси, количество Q которой определено уравнением 3. Вся примесь считается сосредоточенной в тонком поверхностном слое толщиной h, а распределение примеси в этом слое равномерно. Полное количество примеси в предельном случае определяется величиной поверхностной концентрации N 0 и толщиной легированного слоя h. Площадь, ограниченная прямоугольником, должна быть равна площади кривой, описываемой уравнением 3. Полное количество введенной примеси, таким образом, равно. При диффузии в глубь кристалла поверхностная концентрация примеси будет все время уменьшаться. Начальные условия для решения второго уравнения Фика могут быть записаны в этом случае следующим образом:. В реальных условиях для слоев достаточной толщины несколько микрометров распределение примеси хорошо описывается функцией Гаусса 3. Однако для слоев малой толщины такого совпадения не наблюдается из-за того, что поверхность не может быть абсолютно непроницаемой для примеси. Практически непроницаемость поверхности обеспечивается созданием на поверхности кремния слоя окисла. Однако на границе кремний - окисел имеет место перераспределение примесей, причем часть примесей например, бор вытягивается в окисел. Это необходимо учитывать при определении количества вводимой примеси. Как то на паре, один преподаватель сказал, когда лекция заканчивалась - это был конец пары: Типы установок, агрегатов и комплексов, используемых при очистке Влияние давления на растворимость веществ Влияние давления на растворимость веществ. Влияние давления на растворимость твердых и жидких веществ практически не сказывается, т. Но предоставляет возможность бесплатного использования. Есть нарушение авторского права? Диффузия из ограниченного источника 2. Перераспределение примеси при диффузии в окисляющей среде 3. Контроль параметров диффузионных слоев Целью второго этапа диффузии является получение заданного распределения примеси. Полное количество введенной примеси, таким образом, равно При диффузии в глубь кристалла поверхностная концентрация примеси будет все время уменьшаться. Начальные условия для решения второго уравнения Фика могут быть записаны в этом случае следующим образом: Поверхностная концентрация примеси в момент времени t определяется выражением.

Шишки в Невьянске