Кристалы в Звереве

Легендарный магазин HappyStuff теперь в телеграамм!

У нас Вы можете приобрести товар по приятным ценам, не жертвуя при этом качеством!

Качественная поддержка 24 часа в сутки!

Мы ответим на любой ваш вопрос и подскажем в выборе товара и района!

Telegram:

(ВНИМАНИЕ!!! В ТЕЛЕГРАМ ЗАХОДИТЬ ТОЛЬКО ПО ССЫЛКЕ, В ПОИСКЕ НАС НЕТ!)

купить кокаин, продам кокс, куплю кокаин, сколько стоит кокаин, кокаин цена в россии, кокаин цена спб, купить где кокаин цена, кокаин цена в москве, вкус кокаин, передозировка кокаин, крэк эффект, действует кокаин, употребление кокаин, последствия употребления кокаина, из чего сделан кокаин, как влияет кокаин, как курить кокаин, кокаин эффект, последствия употребления кокаина, кокаин внутривенно, чистый кокаин, как сделать кокаин, наркотик крэк, как варить крэк, как приготовить кокаин, как готовят кокаин, как правильно нюхать кокаин, из чего делают кокаин, кокаин эффект, кокаин наркотик, кокаин доза, дозировка кокаина, кокаин спб цена, как правильно употреблять кокаин, как проверить качество кокаина, как определить качество кокаина, купить кокаин цена, купить кокаин в москве, кокаин купить цена, продам кокаин, где купить кокс в москве, куплю кокаин, где достать кокс, где можно купить кокаин, купить кокс, где взять кокаин, купить кокаин спб, купить кокаин в москве, кокс и кокаин, как сделать кокаин, как достать кокаин, как правильно нюхать кокаин, кокаин эффект, последствия употребления кокаина, сколько стоит кокаин, крэк наркотик, из чего делают кокаин, из чего делают кокаин, все действие кокаина, дозировка кокаина, употребление кокаина, вред кокаина, действие кокаина на мозг, производство кокаина, купить кокаин в москве, купить кокаин спб, купить кокаин москва, продам кокаин, куплю кокаин, где купить кокаин, где купить кокаин в москве, кокаин купить в москве, кокаин купить москва, кокаин купить спб, купить куст коки, купить кокс в москве, кокс в москве, кокаин москва купить, где можно заказать, купить кокаин, кокаиновый куст купить, стоимость кокаина в москве, кокаин купить цена, продам кокаин, где купить кокс в москве, куплю кокаин, где достать кокс, где можно купить кокаин, купить кокс, где взять кокаин, последствия употребления кокаина

Окончил в г. Московский физико-технический институт, а в г. Эти работы были начаты по инициативе академика, будущего Нобелевского лауреата А. Руководил работой по кристаллам начальник отдела А. Бебчук, у него работали Р. Позже появились молодые сотрудники А. Усилиями этого коллектива в контакте с Институтом кристаллографии впервые в СССР была решена проблема выращивания и термообработки крупных длиной до мм кристаллов рубина. Уже осенью г. Филимонов , размещавшемся в подвале жилого дома на Таганке. Рез начал работать над водорастворимыми кристаллами сразу после войны в Центральной научно-исследовательской лаборатории пьезотехники, возглавляемой академиком А. Он участвовал в создании первых отечественных звукоснимателей, телефонов, микрофонов, шумомеров на пьезокристаллах. Впоследствии его отдел подключился к работам по лазерной технике. Вместе с учеными МГУ Р. Ковригиным на кристаллах дигидрофосфата калия и аммония, выращенных в отделе И. Реза, были выполнены первые в СССР нелинейно-оптические эксперименты. Оба эти коллектива и Бебчука, и Реза в г. Коллектив возглавил ученик А. Организовал широкий поиск перспективных нелинейно-оптических кристаллов для квантовой электроники. Внес большой вклад в разработку технологии многих перспективных монокристаллов и элементов из них и организацию серийного производства; Создал научную школу по исследованиям и разработкам сегнетоэлектрических и нелинейно-оптических монокристаллов. В первые годы в институте проводились работы по созданию технологии выращивания и обработки лазерного рубина. Химиками во главе с П. Цейтлин была разработана оригинальная технология создания исходного порошка — пудры из окиси алюминия, позволившая получить высококачественные кристаллы. В результате многолетних усилий технологов-ростовиков, специалистов по обработке кристаллов, физиков-исследователей в г. Впоследствии такими аппаратами было оснащено массовое производство лазерного рубина на предприятиях химической промышленности. Разработанные технология и аппаратура были внедрены во многих организациях, в том числе в ГОИ и на заводах Минхимпрома Г. Зверев, главный конструктор ОКР, З. Разработка технологии и оборудования проходили в тесном контакте с исследовательскими подразделениями института, которые позволили создать адекватные методы контроля выходных параметров активных элементов исходя из пассивных характеристик. Фундаментальные и прикладные исследования свойств лазерных кристаллов, проделанные в эти годы Г. Зверевым и его многочисленными учениками В. Институтом была решена задача выращивания высококачественных лазерных монокристаллов методом Чохральского. Первые кристаллы молибдата кальция этим методом вырастила в г. Сергеева на территории физфака МГУ. Лауреат Государственной премии СССР за разработку изделий электронной техники и внедрение их в спецтехнику и народное хозяйство. Кандидат технических наук, автор более 50 печатных трудов и 20 авторских свидетельств на изобретения. Меня, автора этих строк, принимал на работу лично директор СКБ Г. Сафронов в июне г. Я был направлен в только что созданную группу З. Татарова, которой предстояло заниматься выращиванием диэлектрических монокристаллов для твердотельных ОКГ методом Чохральского. Как известно, в то время в стране отсутствовало специальное оборудование для выращивания высокотемпературных монокристаллов кислородсодержащих диэлектриков сегнетоэлектриков методом Чохральского. Для проведения опытов мы располагали только двумя установками: Эти генераторы предназначены для процессов кратковременного действия и не обладали необходимой для выращивания монокристаллов стабильностью и интервалом регулирования мощности. Помню, как нам с Н. Сергеевой после многочисленных опытов по выращиванию кристаллов алюмо-иттриевого граната АИГ из вольфрамовых и молибденовых тиглей удалось получить довольно-таки прозрачный кристалл из иридиевого тигля. Где удалось достать этот тигель размером всего 50 x 50 мм нашему вездесущему снабженцу — руководителю З. Татарову, мне до сих пор неизвестно. Но путь на получение фонда на применение этого редкого металла лежал через Госплан. Сотрудник Госплана Кравченко сказала тогда, что в стране в год производится порядка кг иридия, а потребность в нем ежегодно растет хотя бы для технологии покрытия сопел ракет, чем умерила мой аппетит. Получение фонда иридия всего в несколько килограммов было по тем временам победой. А с приходом в г. Федулова я полностью переключился на выращивание высокотемпературных сегнетоэлектриков — материалов для управления пучком ОКГ и, в частности, на ниобат лития и танталат лития. Сергеева вырастила первые кристаллы алюмо-иттриевого граната с примесью неодима АИГ: Nd , тогда же запустили первый лазер на АИГ: Nd обработка элемента — лаборатория Г. Создал в институте еще в х годах направление прецизионной оптической обработки кристаллов и стекла. Разработанный под его руководством и при непосредственном участии алмазный инструмент и сейчас используется в производстве гироскопических датчиков. Гармаш были созданы низкопороговые элементы алюмо-иттриевого граната порог генерации 0,33 Дж. Баранов , и с этого момента началась огромная работа по разработке и организации промышленного выпуска элементов АИГ необходимых размеров с заданными параметрами. В результате были созданы элементы, не уступающие по уровню лучшим зарубежным образцам. Цилиндрические активные элементы имели диаметр от 2 до 12 мм, а длину — от 30 до мм. Особую роль в разработке качественных кристаллов и элементов из них сыграла близость разработчиков кристаллов и элементов и создателей лазеров и приборов: Учитывая особенности технологии, приходилось выращивать монокристаллические були диаметром до 30 мм и длиной до мм. Заместитель министра электронной промышленности А. Захаров, который серьезно интересовался делами института, поверил в квантовую электронику и подключил к разработке ростового оборудования КБ завода электронного машиностроения г. Ворошиловград, ныне Луганск, Украина. И сегодня уместно вспомнить директора КБ завода Элмаш В. Сороку, главного инженера Л. Швагера, талантливого руководителя конструкторского отдела А. Иванкина и многих рядовых разработчиков этого КБ, вложивших свой талант и опыт в создание ростового оборудования. Шитов работы по выращиванию высокотемпературных диэлектрических кристаллов сильно продвинулись дальше. Наряду с выпуском активных элементов на опытном заводе института в Москве было организовано их производство в филиале опытного завода в Сергаче начальник цеха В. Золотухин, главный инженер С. В цехах заводов выращивание кристаллов АИГ проводилось более чем на 50 ростовых машинах. Однако, как ни значительны были успехи завода к началу х годов, темпы роста снизились. Все труднее давались прирост объемов выпускаемой продукции и выполнение установленного плана. Были для этого объективные причины: Наступило время полупроводников и микроэлектроники. И здесь начинается вторая жизнь предприятия — это производство изделий квантовой электроники ИКЭ. Начало этого следует отнести к г. Заводу предложили организовать производство искусственных кристаллов. Решено было остановиться на производстве оксидных кристаллов, получаемых вытягиванием из расплава метод Чохральского на специальном ростовом оборудовании. Это был трудный и ответственный период в жизни предприятия. Шло непрерывное освоение новых изделий и наращивание их выпуска. Завод наладил производство не только кристаллов ниобата лития и заготовок из них для электрооптических затворов, но и производство пластин для интегральной оптики и пластин для фильтров на ПАВ, акустооптических затворов, элементов из граната и алюмината иттрия для твердотельных лазеров, а затем и излучателей для технологических лазеров квантроны , излучателей для спецтехники, а затем и лазеров. За 10 лет непрерывного совершенствования и развития этого направления номенклатура изделий квантовой электроники достигла более наименований, полностью перекрыты объемы падения технохимического производства и значительно увеличены общие объемы выпуска продукции. Были организованы ОКБ с числом работающих до человек , спецприемка изделий, лаборатория надежности и испытаний. Количество ростовых машин, в т. Производство росло столь быстро, что на базе одного цеха было создано 3 подразделения: О масштабах производства можно судить хотя бы по тому факту, что производство пластин ниобата лития диаметром 50,8; 62,3 и 76,2 мм доходило до 20 тысяч штук в месяц, и завод практически полностью удовлетворял потребности всех предприятий, производивших фильтры на ПАВ. В это же время на заводе была осуществлена практически полная компьютеризация всех основных технологических процессов выращивание кристаллов, проверка их качества и испытание изделий и внедрена компьютерная техника, как в процессе проектирования изделий, так и для проведения всех учетных и ремонтных работ предприятия: Непрерывно шла разработка новых изделий и технологических процессов и в самом ОКБ предприятия: Но несмотря на падение численности работающих из-за отсутствия потребности в таких изделиях как ТХП, пластины ниобата лития для ПАВ, сокращение объемов выпуска лазеров и излучателей, предприятие наладило выпуск изделий для обеспечения международной программы ядерных исследований и успешно развивало это направление совместно с ведущими фирмами России и Западной Европы, сохранив тем самым свои основные кадры, и обеспечило жизнь заводу. К сожалению, к настоящему времени этот уникальный завод прекратил работу по производству монокристаллов. В конце х годов объем производства активных элементов из АИГ: Nd на всех заводах превысил 3 тыс. Одновременно с разработкой элементов из АИГ велась работа по синтезу других лазерных кристаллов. Один из них — алюминат иттрия АИ — оказался более технологичным, чем АИГ а в ряде режимов генерации не уступал ему и был внедрен в производство; выпуск элементов из АИ в х годах составил более 1 тыс. С конца х до середины х годов потребность в активных элементах удовлетворялась за счет ранее проведенных разработок и созданных производственных мощностей. Однако в х годах в связи с успешной разработкой полупроводниковых лазеров встал вопрос о создании кристаллов специально для диодной накачки. Были синтезированы перспективные для этой цели кристаллы фосфаты и бораты, легированные неодимом, Н. Шестаков и разработана технология изготовления элементов для таких лазеров Л. В настоящее время исследуются возможности синтеза смешанных ванадатов, фосфатов и других перспективных соединений, а также создания композитных активных материалов для лазеров с полупроводниковой накачкой. В тот же период велись работы по созданию нелинейных и электрооптических материалов для преобразования частоты излучения и модуляции добротности резонатора. Клюев, ответственный исполнитель Н. Ангерт по выращиванию кристаллов ниобата лития, результаты которой были внедрены на опытном производстве института и на Кировоканском химическом комбинате. Пашков, ответственный исполнитель А. Разработанные электрооптические затворы из ниобата лития обладают широким диапазоном рабочих температур и широко используются во всех дальномерах и целеуказателях, в излучателях светолокаторов. Разработки затворов являются оригинальными, не имеют аналогов за рубежом и в течение многих лет продаются за границу. После окончания физического факультета Московского государственного университета в г. Основные научные интересы связаны с исследованиями в области физики твердого тела методами спектроскопии, нелинейной оптики и сконцентрированы на разработке элементной базы твердотельных лазеров, в том числе лазерных, электрооптических и нелинейных элементов. Внесла заметный вклад в подготовку специалистов в области лазерной техники. Под ее руководством или при ее непосредственном участии было выполнено большое количество дипломных работ и подготовлено несколько диссертаций. Имеет более научных трудов, ряд патентов и изобретений. В ранге научного руководителя или главного конструктора выполнила более 20 научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ. Одновременно с ниобатом лития разрабатывалась технология производства кристаллов танталата лития Н. Развитие масштабного производства монокристаллов по методу Чохральского потребовало создания полной гаммы отечественного оборудования для выращивания и термообработки кристаллов. Эти работы возглавили Е. Наряду с упомянутыми выше установками для выращивания, были созданы также отжиговые, напылительные установки, установки для монодоменизации и раздвойникования монокристаллов. Параллельно с работами по высокотемпературным кристаллам продолжались работы с водорастворимыми кристаллами руководитель И. Рез, начальник лаборатории М. Выращивание кристаллов велось не только из водных растворов, но и из раствора в расплаве. Так, была разработана промышленная технология производства элементов из кристаллов калий-титанил-фосфата КТР В. Павлова , появление которых обеспечило возможность создания параметрических генераторов света в широком диапазоне длин волн от 0,53 до 3,2 мкм. Рост потребности в монокристаллах потребовал изменения организационных форм — в г. Для обеспечения требуемого масштаба работ, особенно в интересах оборонной техники, к работе НПК привлекались предприятия других министерств: Гармаш , акустооптических элементов Л. Возможности комплекса позволяли решать задачи не только квантовой электроники, но и других направлений электронной промышленности, например, по разработке и массовому выпуску пластин из ниобата лития для производства фильтров на ПАВ для цветного телевидения. К середине х из-за изменения форм собственности и способов управления предприятиями, резкого сокращения объемов госзаказа, разрушения традиционной производственной кооперации общий объем производства лазерной техники, в том числе и элементов твердотельных лазеров, сократился более чем в 10 раз. Наряду с этим, доступность современного российского рынка для зарубежных производителей поставила вопрос о поиске путей сохранения базовых технологий, к числу которых, безусловно, относится и технология выращивания диэлектрических кристаллов. Естественным выходом из сложившейся ситуации была скорейшая реализация значительного научно-технического задела для модернизации существующих технологий и создание новой, конкурентоспособной продукции в институте за счет собственных средств. В эти годы был выполнен ряд НИР и ОКР по созданию новых кристаллов и элементов твердотельных лазеров, усовершенствован ряд технологических процессов, что позволило обеспечить выпуск кристаллов и элементов в необходимых количествах для комплектации собственного производства лазерной техники и активно продавать лазерные кристаллы и элементы в стране и за рубежом. Усилиями производственного коллектива и инженеров-технологов А. Следует особо отметить разработку и выпуск активных элементов на основе галлий-скандий-гадолиниевых гранатов, активированных неодимом и хромом, превосходящих в 2—2,5 раза кристаллы YAG: Nd по коэффициенту полезного действия благодаря дополнительному поглощению света накачки ионами хрома с последующей передачей энергии возбуждения ионам неодима. Важным достижением института является создание и выпуск широкой номенклатуры не имеющих зарубежных аналогов электрооптических затворов на основе ниобата и танталата лития, работающих в широком интервале температур. В этих изделиях решена проблема стойкости к воздействию лазерного излучения. Такие затворы успешно применяются для модуляции добротности твердотельных лазеров на активированных кристаллах, излучающих в диапазоне длин волн 1,06—2,2 мкм. Помимо электрооптических затворов, разработаны и выпускаются пассивные кристаллические лазерные затворы на основе YAG: В период — гг. Разработка новых устройств управления излучением А. Крупина открыла широкие возможности для создания высокоэффективных твердотельных лазеров, работающих в различных спектральных диапазонах. В настоящее время в связи с широким применением в твердотельных лазерах полупроводниковой накачки и фактически с появлением нового поколения твердотельных лазеров актуальным является вопрос о разработке новой элементной базы, адаптированной для этих приборов. Потребности сегодняшнего рынка лазерных элементов настоятельно требуют разработки новых технологий, кристаллов, лазерных элементов и устройств управления лазерным излучением. С использованием технологии диффузионной сварки кристаллов созданы первые композитные лазерные элементы на основе алюмо-иттриевого граната с различным легированием А. Успехи этих технологических работ уже позволили создать первые образцы твердотельных лазеров с полупроводниковой накачкой, обладающих рекордными параметрами. По своим габаритам такие источники излучения сопоставимы с полупроводниковыми лазерами. Другим примером демонстрации качества вновь разработанных элементов является создание серии высокоэффективных лазеров с диодной накачкой, работающих как в непрерывном режиме, так и в режиме с акустооптической модуляцией добротности резонатора, в том числе с преобразованием длины волны во вторую и третью гармоники основного излучения. Значительный объем научно-исследовательских работ проведен по созданию активных элементов на основе Al 2 O 3: Параметры экспериментальных образцов лазеров такого типа, в том числе с полупроводниковой накачкой, свидетельствуют о высоком качестве разработанных активных элементов. Эти работы получили признание научной общественности как у нас в стране, так и за рубежом. Направление диэлектрических кристаллов для квантовой электроники сохранило потенциал и способно обеспечить страну лазерными материалами. В заключение хотелось бы вспомнить еще раз ветеранов института, внесших решающий вклад в разработку и становление направления монокристаллов для лазеров. Филимонов и другие специалисты. Как не вспомнить наших аппаратчиц, обеспечивающих многосменный непрерывный процесс выращивания монокристаллов — Т. Яновскую, и наладчиков оборудования А. Все они посвятили значительную часть своего жизненного пути высокой технологии выращивания диэлектрических монокристаллов для лазеров. Твердотельные лазеры на кристаллах, с которых началась лазерная эра более 50 лет назад, продолжают свое победное шествие. Лауреат премии Ленинского комсомола. Автор более научных работ и свыше 50 авторских свидетельств. В дальнейшем к этим работам подключились З. Вот что пишет об этом времени в своих мемуарах В. Но тогда же мы поняли, что в основе технологии выращивания монокристаллов АИГ лежит иридий. Баумана по специальности инженер-механик. Особо следует упомянуть просто уникальные технологии завода: Московский институт стали и сплавов. Доктор технических наук, профессор. Автор более авторских свидетельств, печатных работ, 90 научно-технических отчетов. Кристалл иттрий-алюминиевого граната, выращенный по методу Чохральского С конца х до середины х годов потребность в активных элементах удовлетворялась за счет ранее проведенных разработок и созданных производственных мощностей. Кристаллические лазерные элементы В настоящее время в связи с широким применением в твердотельных лазерах полупроводниковой накачки и фактически с появлением нового поколения твердотельных лазеров актуальным является вопрос о разработке новой элементной базы, адаптированной для этих приборов. НПК по выращиванию и обработке лазерных кристаллов и разработке приборов на их основе. Почтовый адрес РФ, , г. Телефон и факс Телефон:

Кристалы в Звереве

Вы точно человек?

Кристалл Края

Зверев Петр Георгиевич

Зверев Петр Георгиевич

Зверев Петр Георгиевич

Кристалл Края

Кристалл Края

Вы точно человек?

Кристалл Края

Зверев Петр Георгиевич

Кристалл Края

Вы точно человек?

Кристалл Края

Кристалл Края

Кристалл Края

Зверев Петр Георгиевич

Зверев Петр Георгиевич

Зверев Петр Георгиевич

Зверев Петр Георгиевич

Кристалл Края

Report Page