Кристалы в Ершовом
Кристалы в ЕршовомКристалы в Ершовом
Рады представить вашему вниманию магазин, который уже удивил своим качеством!
И продолжаем радовать всех!)
Мы - это надежное качество клада, это товар высшей пробы, это дружелюбный оператор!
Такого как у нас не найдете нигде!
Наш оператор всегда на связи, заходите к нам и убедитесь в этом сами!
Наши контакты:
Telegram:
ВНИМАНИЕ!!! В Телеграмм переходить только по ссылке, в поиске много фейков!
Защита состоится 17 октября г, в К часов на заседании диссертационного совета Д 01 при Нижегородском государственном университете им НИ Лобачевского по адресу Нижний Новгород, пр Гагарина, 23, корп 3. Основной целью диссертационной работы была разработка метода скоростного выращивания моносекториальных болынеапертурных монокристаллов группы KDP для мощных лазерных систем. Научная новизна диссертационной работы определяется полученными оригинальными результатами На защиту выносятся следующие основные положения. Практическое значение работы состоит в разработке метода скоростного выращивания моносекториальных профилированных кристаллов группы KDP, а также в разработке метода экспресс-анализа ростового качества растворов. Работа выполнена в Институте прикладной физики РАН Результаты, приводимые в данной диссертации, опубликованы в 37 печатных работах Из них - 12 статей в реферируемых изданиях, 15 тезисов докладов и 3 патента. Работа состоит из введения, 4 глав и списка литературы Она изложена на страницах, и содержит 59 рисунков, 8 таблиц и список литературы из 80 наименований. Приведенные в диссертационной работе результаты получены автором лично или при его непосредственном определяющем участии. Во введении работы изложены актуальность выбранной темы, состояние проблемы к началу работ по скоростному выращиванию, цель и задачи исследования, а также приведена краткая аннотация содержания работы по главам. В первой главе приведен краткий обзор традиционных и скоростных методов выращивания кристаллов группы KDP, применяющихся по настоящее время, в том числе и метод скоростного выращивания, разработанный в ИПФ РАН Различные варианты традиционных методов выращивания водорастворимых кристаллов подробно изложены в различных монографиях и статьях В основном эти варианты отличаются друг от друга способами создания пересыщения в растворе за счет изменения температуры, за счет испарения растворителя и др и способами перемешивания раствора около кристалла за счет мешалки, за счет вращения кристалла и др Все известные традиционные методы выращивания кристаллов типа KDP характеризуются следующими чертами. Во второй главе приводится принципиальная схема метода скоростного выращивания моносекториальных профилированных кристаллов и сформулированы необходимые условия его осуществления Метод скоростного выращивания моносекториальных профилированных кристаллов состоит в следующем Затравка в виде пластины, вырезанной параллельно одной из естественных граней кристалла, помещается на дно специальной кристаллизационной камеры формы , обычно прямоугольного или круглого сечения и с вертикальными боковыми стенками Размеры поперечного сечения и ориентация рабочей грани затравки относительно стенок камеры выбираются такими, чтобы полученный в процессе выращивания кристалл по своим размерам и ориентации максимально соответствовал форме и ориентации оптического элемента элементов , который будет затем из него изготовлен. Необходимыми условиями скоростного выращивания моносекториальных профилированных кристаллов являются. Схема выращивания моносскториального кристалла КСР гранью Интенсивное перемешивание раствора около растущей грани граней. Очевидно, что для уменьшения вероятности появления таких дефектов необходимо увеличить интенсивность движения раствора около кристалла и по возможности обеспечить одинаковость этого движения около всех участков грани. Обйспечену5е устойчивости раствора к спонтанной кристаллизации. Такие факторы, как высокое пересыщение и интенсивное движение раствора, необходимые для осуществления скоростного выращивания, существенно повышают вероятность спонтанной кристаллизации. Преимущества метода скоростного выращивания моносекториальных профилированных кристаллов по сравнению с традиционными методами можно кратко сформулировать следующим образом. Дополнительное сокращение времени выращивания и сведение к минимуму отходов при изготовлении оптических элементов за счет выбора конфигурации ростовой камеры и вида затравки. Третья глава посвящена исследованиям, направленным на решение проблем, возникающих при реализации метода скоростного выращивания, а также совершенствованию этого метода Основными проблемами являются следующие. В диссертационной работе было получено аналитическое выражение для распределения концентрации раствора и толщины диффузионного слоя вблизи кристаллической грани, послойно растущей в касательном ламинарном потоке раствора Согласно этому выражению, толщина диффузионного слоя около растущей грани кристалла, равна. Определены условия выживания и смены ведущего центра центров роста на растущей из раствора грани кристалла Как правило, плотность дислокаций или пучков дислокаций, выходящих на поверхность грани водорастворимого кристалла, равна. Через минут центр роста 2 полностью подавляет первоначальный источник ступеней центр роста 1 Восстановление исходной скорости потока приводит к тому, что ведущим вновь становится центр роста 1. Примеси ионов 3-валентных металлов ухудшают качество кристаллов группы KDP и замедляют рост граней призмы, но не оказывают заметного влияния на рост граней бипирамиды. Практически для оценки тестируемого раствора измеряется зависимость скорости роста от пересыщения и затем полученная кривая сравнивается с эталонными. Если эта кривая попадает в незатеме иную область рис. Каждая кривая - результат усреднения независимых измерений. Пунктирными линиями отмечен коридор погрешности измерения среднего для кривой 2. Для измерения зависимости скорости роста от пересыщения была разработана лазерная поляризационно-интерференционная установка, позволяющая измерять прирост грани кристалла группы КОР с погрешностью до 0,02 мкм. Схема установки и внешний вид кюветы с раствором и кристаллом представлены на рис. Принципиальная схема лазерной поляршщионно-интерферекционной установки для исследования кинетики роста дну луче преломляющих кристаллов и внешний вид кюветы с раствором и кристаллом. В процессе измерений температура раствора автоматически меняется по заданной программе. Разность фаз о- и е- пучков лазерного излучения меняется с приростом толщины кристалла, что приводит к изменению интенсивности излучения, падающего на основной фотодиод. Температура раствора и интенсивность излучения, падающего на основной и опорный фотодиоды регистрируются компьютером. Процесс измерения проходит в автоматическом режиме и занимает несколько часов. Изменяя концентрацию кислоты, можно изменять отношение скоростей роста фа ней призмы и бипирамиды, что важно при осуществлении скоростного роста моносекториальных кристаллов. Основными причинами уменьшения метастабильной зоны в реальных рабочих условиях выращивания кристаллов считаются гетерогенное зародышеобразование и вторичное зародыше-образование. Пересыщение ст в капле раствора па стенке банки в зависимости от ее температуры. Пе полностью термостатированный кристаллизатор. Максимально возможное пересыщение о в капле раствора в зависимости от ее температуры Т2. В главе 4 описано современное состояние метода скоростного выращивания моносектор г ia. Схема установки изображена на рис. Сформулированы требования к кристаллизационной аппаратуре, подробно описана методика подготовки и выращивания кристаллов. Схема кристаллизационной установки для скоростного выращивания моносектори-альнш профилированных кристаллов из растворов: Из результатов исследований следует, что оптическое качество кристаллов, выращенных способом, описанным в данной работе, не уступает качеству кристаллов, выращенных традиционными методами, а по некоторым характеристикам его превосходит например, в оптических элементах отсутствуют межсекториадьные. Rapid growth of KDP-type crystals Progress m crystal growth and characterization of materials p Необходимые условия скоростного выращивания моносекториальных профилированных кристаллов. Принципиальная схема метода скоростного выращивания моносекториальных профилированных кристаллов. Сравнение метода скоростного выращивания моносекториальных профилированных кристаллов с другими методами выращивания. Влияние гидродинамических условий на рост нослойно растущей грани кристалла. Пространственное распределение величины локального наклона относительно сингулярной грани. Влияние неоднородностей толщины диффузионного слоя и 1: Методика экспресс-анализа качества растворов для выращивания кристаллов. Состояние проблемы к началу работ по скоростному выращиванию. Цель и задачи исследования. Краткая аннотация содержания работы по главам. Ведущиеся в последние годы исследования по взаимодействию излучения мощных лазеров оптического диапазона с веществом показали возможность решения в ближайшем будущем одной из фундаментальных задач: Постройке соответствующих лазерных систем - драйверов термоядерного реактора сейчас ведут США проект 'National Ignition Facility , Франция проект 'Megajoule' , Япония проект 'Gekko' и другие страны. Здесь построены установки на основе йодных лазеров - 'Искра-4' и 'Искра-5'. В настоящее время осуществляется проектирование лазерной системы на неодимовом стекле - 'Искра-6'. Между тем, для применений в УЛТС управляемом лазерном термоядерном синтезе необходимо излучение видимого и ближнего УФ-диапазона. Поэтому возникает задача высокоэффективного преобразования инфракрасного излучения мощных лазеров в излучение видимого и ближнего УФ-диапазона. Световая апертура одного канала должна была составлять от 30 до 52 см. Наиболее эффективным способом получения такого излучения является преобразование ЯК-излучения неодимовых или йодных лазеров в коротковолновое излучение путем генерации гармоник в нелинейных кристаллах. Многочисленные исследования показали, что наиболее подходящими для этих целей являются кристаллы KDP. Кроме преобразования частоты оптические элементы из этих кристаллов выполняют в лазерных системах функции формирования лазерного импульса. Эти кристаллы имеют достаточную оптическую нелинейность, высокую оптическую прочность. Они прозрачны в широком диапазоне частот излучения. И что очень существенно - они выращиваются из водных растворов широко распространенной соли КН2РО4 при температурах, близких к комнатной, и поэтому могут быть, в принципе, выращены достаточно больших размеров и относительно дешево. Представление о параметрах кристаллических оптических элементов можно получить, исходя из проекта NIF, В лучах драйвера этого проекта должно содержаться по 1 оптическому элементу ячейки Поккельса из кристалла DKDP и по 2 элемента преобразователя частоты в 3-ю гармонику из KDP и DKDP, Размеры элементов х х 10 мм. При этом предъявляются высочайшие требования к оптической однородности элементов. Никакие другие известные ныне материалы не удовлетворяют этим условиям. Существовавшие до х годов 'традиционные' методы выращивания кристаллов не удовлетворяют следующим современным требованиям:. В конце х - начале х годов не существовало технологии выращивания кристаллов KDP, DKDP, пригодных для изготовления оптических элементов необходимых размеров. Кристаллы выращиваются в естественной огранке, образованной гранями бипирамиды и призмы Вследствие этого кристалл имеет полисекториальную структуру, что априори приводит к оптическим неоднородностям. Скорость роста кристаллов составляет 0. Все это приводит к чрезмерно высокой стоимости оптических элементов. В результате было принято решение о развитии скоростного метода выращивания профилированных и заданным образом ориентированных моносекториальных кристаллов, основой которого послужили экспериментальные исследования, проведенные в ИПФ РАН в конце х годов. Развитие скоростного метода выращивания моносекториальных кристаллов потребовало решения целого ряда физических, химических и конструкторско-технологических задач разного плана. Во-первых, встала задача определения оптимальных технологических параметров выращивания: Для этого потребовалось проведение как теоретических, так и целой программы экспериментальных исследований. Во-вторых, возникла необходимость изучить свойства кристаллов, выращенных новым методом, сравнить их со свойствами 'традиционных кристаллов', а также провести поиск способов повышения качества кристаллов, в частности, повышения оптической стойкости. И наконец, нужно было не только создать технологию, но разработать и изготовить необходимое оборудование. В первой главе приводится литературный обзор традиционных и скоростных методов выращивания водорастворимых кристаллов. Во второй главе описана принципиальная схема кристаллизатора и ; сформулированы основные условия осуществления скоростного 1 выращивания моносекториальных профилированных кристаллов. Третья глава посвящена исследованиям, направленным на решение основных проблем, возникающих при реализации метода скоростного выращивания, а также совершенствованию технологии скоростного выращивания. В четвертой главе описано современное состояние технологии скоростного выращивания моносекториальных профилированных кристаллов. Впервые показана возможность выращивания кристаллов группы КОР со скоростями в 10 - 20 раз превышающими скорости роста в традиционных методах выращивания. Выращиваемые кристаллы по своему оптическому качеству не уступают кристаллам, получаемым традиционными методами, а по некоторым параметрам превосходят их. Разработан новый способ и создана аппаратура для скоростного выращивания моносекториальных профилированных кристаллов группы КОР. Разработана экспресс-методика и создана установка для оценки качества раствора, предназначенного для выращивания крупных кристаллов. Данная методика основана на анализе получаемой зависимости скорости роста граней небольшого 2x2x5 мм кристалла, растущего в исследуемом растворе, от пересыщения. Изменяя концентрацию кислоты, можно изменять отношение скоростей роста граней призмы и бипирамиды, что важно при осуществлении скоростного роста моносекториальных кристаллов. Это позволило определить условия, при которых на грани начинают образовываться дефекты, а также условия выживания и смены ведущих центров роста. Пересыщение в каплях раствора, находящихся на деталях кристаллизатора, может сильно превышать пересыщение в объеме рабочего раствора. Вследствие этого кристаллизация в каплях может явиться источником появления паразитных кристаллов в рабочем растворе. Метод выращивания кристаллов из растворов в статических условиях. Выращивание крупногабаритных монокристаллов KDP для ультрафиолетовой области спектра. Скоростное выращивание однородных кристаллов из растворов. Ленинградское газетно-журнальное и книжное издательство. Получение калия фосфорнокислого однозамещенного для монокристаллов. Квантовая электроника, i , т. Устройство для выращивания профилированных кристаллов. Качество кристаллов ADP, полученных быстрым выращиванием на точечной затравке. Квантовая электроника, , т. Скоростное выращивание из раствора крупных кристаллов для нелинейной оптики. Скоростное выращивание монокристаллов дигидрофосфатов аммония и калия. Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Rapid growth of large-scale 40 55 cm KDP crystals. Impurities and Iaser-indused damage in the growth sectors of rapidly grown KDP crystals. The effect of impurities and stress on the damage distribution of rapidly grown KDP crystals. The effect of impurities and supersaturation on the rapid growth of KDP crystals. Journal of crystal growth, v. Rapid growth of KDP-type crystals. Progress in crystal growth and characterization of materials. Kanabe, H, Fujita, M. Optical properties of rapidly grown KDP crystal impruved by thermal conditioning. Rapid growth of KH2PO4 crystals in aqueous solution with additives. Surface topography of rapidly grown KH2P04 crystals with additives: Rapid growth of DKDP crystals from high-acidity solutions. Journal of Crystal Growth, , v. Поверхностные процессы роста кристаллов группы KDP и проблема скоростного выращивания. О выращивании кристаллов из раствора с применением центробежной помпы в качестве мешалки. Secondary nucleation indused by the cracking of a growing crystal: Journal of Crystal Growth, V. Некоторые проблемы скоростного выращивания монокристаллов типа KDP. Growth kineics of ammonium and potassium-dihydrogen phosphate crystals. Growth phenomena of KDP crystals in relation to the internal structure. Рентгенотопографическое исследование дислокаций, возникающих в кристаллах дигидрофосфата калия при росте из раствора. Послойный рост грани кристалла в касательном потоке раствора. Горький, , 23 с. Расширеннные тезисы 6 международной конференции по росту кристаллов. О конвективном массопереносе на вертикальную грань при послойном росте кристалла. Интерференционно-оптическое исследование морфологии и кинетики роста грани ADP из водного раствора. Влияние кислотности раствора на кинетику роста кристаллов KDP. Исследование кинетики роста кристаллов ADP из раствора методом in situ рентгеновской топографии. Кинетика роста кристаллов ADP и рентгеновская топография их дефектов. Yokotani Growth of large KDP crystals for laser fusion experiments. Journal of Crystal Growth, v. Физико-химические особенности кинетики роста монокристаллов дигидрофосфата калия. Диссертация на соискание степени кандидата химических наук. Growth kinetics and morphology of potassium dihydrogen phosphate crystal faces in solutions of varying acidity. Методика оценки качества растворов для выращивания кристаллов DKDP. Некоторые аспекты кинетики роста кристаллов KJDP. Влияние рН на рост исвойства кристаллов KDP. Sharma, Sunil Verma, В. In situ measurement of pH and supersaturation-dependent growth kinetics of the prismatic and pyramidal facets of KDP crystals. Исследование кристаллизации солей из пересыщенных водных растворов. Журнал физической химии, т. Влияние степени очистки раствора на предельное пересыщение. The effect of supersaturation on the induction period of potassium dihydrogen phosphate crystals grown from aqueous solution. Antony Nucleation in supersaturated potassium dihydrogen orthophosphate solutions. Crystal Research and technology, v. Shvetsova, Spurious crystallization as a result of crystallization in solution drops. July 26 31,, Jerusalem, Israel, Abstracts, p. Краткий курс физической химии. Измерение аномальной двуосности в кристаллах с использованием циркулярно-поляризованного света. Вицинальная секториальность и ее связь с кинетикой роста кристаллов ADP. Возможности повышения порога оптического пробоя кристаллов KDP. Скоростное выращивание водорастворимых кристаллов и прблемы создания большеапертурных преобразователей частоты света. Jemna Mechaika a Optika. Journal of Crystal Growth, , 1, Вестник ННГУ, , 1 9. Интерференционная установка для исследования скоростей роста кристаллов. Расширенные тезисы 6 Международной конференции по росту кристаллов. Влияние примесного состава на процессы массопереноса при росте кристаллов. Mass transfer processes in KDP crystal grown fromsolution. July, , York, England. Express-technique of solution quality determination used for KDP-group crystal growth. Conference on Crystal Growth. July-August, , Kyoto, Japan. Библиотека диссертаций Физика Физика конденсированного состояния Скоростной рост моносекториальных профилированных кристаллов группы KDP тема автореферата и диссертации по физике, Сокращение времени выращивания вследствие увеличения скорости роста в десятки раз. Rapid growth of KDP-type crystals Progress m crystal growth and characterization of materials p Основные результаты работы представлены в следующих публикациях: Содержание диссертации автор исследовательской работы: Традиционные и скоростные методы выращивания водорастворимых кристаллов. Необходимые соотношения скоростей роста граней для получения моносекториального кристалла. Необходимые гидродинамические условия около растущей грани. Обеспечение устойчивости раствора к спонтанной кристаллизации. Проблемы скоростного выращивания моносекториальных профилированных кристаллов типа КОР. Пространственное распределение величины локального наклона относительно сингулярной грани 3. Метод скоростного выращивания моносекториальных профилированных кристаллов. Выход на рабочий режим. Введение диссертация по физике, на тему 'Скоростной рост моносекториальных профилированных кристаллов группы KDP' Актуальность выбранной темы. Существовавшие до х годов 'традиционные' методы выращивания кристаллов не удовлетворяют следующим современным требованиям: Целями настоящей работы были: Работа состоит из четырех глав и заключения. Основные результаты диссертационной работы сформулированы в заключении. Это позволило определить условия, при которых на грани начинают образовываться дефекты, а также условия выживания и смены ведущих центров роста 6. Список источников диссертации и автореферата по физике, кандидата физико-математических наук, Ершов, Владимир Петрович, Нижний Новгород 1. Способ выращивания кристаллов типа KDP. Кинетика роста и растворения кристаллов. Изд во ЛГУ, , с. Оптические свойства искусственных минералов. Список научных работ В. Ершова, опубликованных по темедиссертации. The Twelfth International Устройство для выращивания профилированных, кристаллов. Физика Математика Химия физико-математические науки Математика Теория вероятностей и математическая статистика. Математическая логика, алгебра и теория чисел. Дискретная математика и математическая кибернетика. Математическое обеспечение вычислительных машин и систем. Системный анализ и автоматическое управление. Механика деформируемого твердого тела. Механика жидкости, газа и плазмы. Динамика, прочность машин, приборов и аппаратуры. Динамика сыпучих тел, грунтов и горных пород. Астрометрия и небесная механика. Приборы и методы экспериментальной физики. Теплофизика и теоретическая теплотехника. Физика атомного ядра и элементарных частиц. Химическая физика, в том числе физика горения и взрыва. Физика пучков заряженных частиц и ускорительная техника. Коллоидная химия и физико-химическая механика. Химия и технология композиционных материалов. Математическая и квантовая химия. Химия, физика и технология поверхности. Библиотека физико-математических и химических наук. Читать автореферат Читать диссертацию.
Купить Соль Скорость Владивосток
/ geokniga-ershovaovbakulinalpmineralogiyaipetrobookfiorg
Вы точно человек?
/ geokniga-ershovaovbakulinalpmineralogiyaipetrobookfiorg
Обойти блокировку сайта цензор