График зависимости подвижности носителей заряда от температуры
График зависимости подвижности носителей заряда от температурыСкачать файл - График зависимости подвижности носителей заряда от температуры
Температурная зависимость подвижности носителей заряда в полупроводниках определяется механизмами рассеяния носителей заряда. В слабых электрических полях дрейфовая скорость значительно меньше средней скорости теплового хаотического движения. Длина свободного пробега определяется в основном рассеянием свободных носителей на колеблющихся атомах полупроводника фононах и ионизированных атомахпримесей. Фононное рассеяние преобладает при малых концентрацияхпримесей 10 Подвижность носителей заряда в полупроводнике становится значительно меньшей при высокой концентрации примесей, 10 В этом случае при сравнительно низких температурах преобладает рассеяние носителей заряда на примесях, находящихся в ионизированном или нейтральном состоянии. При высоких температурах преобладает рассеяние носителей заряда на тепловых колебаниях атомов или ионов кристаллической решетки полупроводника. Видно, что температурная зависимость подвижности носителей заряда в примесном полупроводнике состоит из двух участков. Участок 1 характерен для низких температур, когда преобладает рассеяние на ионизированных примесях; на участке 2 подвижность носителей уменьшается вследствие рассеяния на тепловых колебаниях атомов и ионов. Дополнительная, приобретаемая электронами на длине свободного пробега, энергия много меньше kT , она теряется при рассеянии на низкочастотных акустических фононах п. С ростом напряженности электрического поля скорость дрейфа электронов возрастает до определенного предела. При этом приобретаемая электронами энергия увеличивается и начинает превышать потери при рассеянии, поскольку энергия возбуждаемых акустических фононов по-прежнему мала по сравнению с kT. Это вытекает из условия сохранения импульса: Зависимость подвижности носителей заряда электронов или дырок от напряженности электрического поля в кремнии аппроксимируется выражением. Подвижность носителей заряда в средних и сильных электрических полях уменьшается с ростом напряженности электрического поля. Графики зависимости дрейфовой скорости от напряженности электрического поля представлены на рис. В отличие от акустических оптические фононы при сравнительно небольших импульсах того же порядка что и у электрона, обладают большими энергиями В процессе рассеяния электроны отдают почти всю свою кинетическую энергию на образование фононов, поскольку как только она достигает величины W фон. Для кремния и германия зависимость дрейфовой скорости от напряженности электрического поля может быть аппроксимирована формулой. Скорость насыщения v нас является важнейшим электрофизическим параметром полупроводника. Это связано со сложной структурой энергетических зон GaAs см. FAQ Обратная связь Вопросы и предложения. Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Ижевский государственный технический университет им. Уравнения полных токов в полупроводнике. Температурная зависимость подвижности носителей Температурная зависимость подвижности носителей заряда в полупроводниках определяется механизмами рассеяния носителей заряда. Зависимость подвижности носителей заряда электронов или дырок от напряженности электрического поля в кремнии аппроксимируется выражением , 3. Для кремния и германия зависимость дрейфовой скорости от напряженности электрического поля может быть аппроксимирована формулой , 3. Соседние файлы в папке лекции по ФОМЭ
Зависимость подвижности носителей заряда от температуры
Зависимость проводимости полупроводника от температуры
Объем и содержание понятия закон
Чертеж компас план расположения оборудования
Курсовая работа: Полупроводниковые материалы
Таблица нормы потребления воды человеком
Журнал вязание детям спицами 2016 со схемами